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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDS6673BZ 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

3-FDS6673BZ

#1

数量:7690
1+¥5.5476
25+¥5.1624
100+¥4.9312
500+¥4.7771
1000+¥4.5459
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:7690
1+¥5.5476
25+¥5.1624
100+¥4.9312
500+¥4.7771
1000+¥4.5459
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#3

数量:7690
1+¥5.5476
25+¥5.1624
100+¥4.9312
500+¥4.7771
1000+¥4.5459
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDS6673BZ产品详细规格

规格书 FDS6673BZ datasheet 规格书
FDS6673BZ datasheet 规格书
FDS6673BZ datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Request inventory verification / Request inventory verification
标准包装 1
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 14.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 124nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4700pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Cut Tape (CT)
associated FDS6673BZ
IRF9317PBF
IRF9321PBF

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